一、半导体静态参数测量系统概述:

       半导体静态参数测量系统，集多种测量功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如 MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半导体等） 的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精准测量、nA级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试， 如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

二、系统组成

       半导体静态参数测量系统，主要包括测试主机、测 试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关测试配件等构成。整套系统采⽤⼒钛科⾃主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、 电容测量单元模块。结合专⽤上位机测试软件，可根据测试项⽬需要，设置不同的电压、电流等参数，以满⾜不同测试需求。测试数据可保 存与导出，并可⽣成I‐V以及C‐V特性曲线。此外，测试主机可与探针台 搭配使⽤，实现晶圆级芯⽚测试。

三、半导体静态参数测量系统的主要应用

1、功率半导体的来料检验

2、功率半导体的静态参数验证或标定 

3、实验室的器件评估

4、功率半导体的⽣产检验和筛选

5、半导体器件的⼯艺改进评估

6、半导体器件的失效分析

7、半导体器件的教育科研

四、硬件优势

      功率器件静态参数测试系统，配置有多种测量单元模块， 模块化的设计测试⽅法灵活，能够极⼤⽅便⽤户添加或升级测量模块， 适应测量功率器件不断变化的需求。

1、高电压达8000V （扩展至10kV） 

2、大电流达6000A （多模块并联）

3、nA级漏电流uΩ级导通电阻

4、高精度测量0.1%

5、模块化配置可添加或升级测量单元

6、测试效率高、自动切换、一键测试

7、兼容多种封装根据测试需求定制夹具

五、测试夹具

       针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、 GaN等产品，力钛科提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试，后期可根据客户需求来定制化相对应封装。

六、软件特点：

1、测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%

2、栅极‐发射极，支持30V/10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流

3、集电极‐发射极，支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs， 且具备电压高速同步采样功能

4、支持8000V电压输出，且自带漏电流测量功能

5、电容特性测试包括输入电容、输出电容、以及反向传输电容测试，频率支持1MHz

七、软件界面

八、测试器件类型及项目

九、测试原理